808nm QL80R4SD赤外線レーザーダイオード特別オファー200mW
説明:
出力電力:CW 200mW
働く流れ:<200mA
働く電圧:1.9-2.5V
パッケージ形態:T018(5.6mm)
ワーキングライフ:10,000時間以上
光出力パワー:200mW
半導体レーザ逆電圧:2V
フォトダイオード逆電圧:2V
動作温度:-10〜+ 40℃
保存温度:-40〜+ 85℃
![](https://www.beamqus.com/wp-content/uploads/808nm-QL80R4SD赤外線レーザーダイオード特別オファー200mW-1.jpg)
説明:
出力電力:CW 200mW
働く流れ:<200mA
働く電圧:1.9-2.5V
パッケージ形態:T018(5.6mm)
ワーキングライフ:10,000時間以上
光出力パワー:200mW
半導体レーザ逆電圧:2V
フォトダイオード逆電圧:2V
動作温度:-10〜+ 40℃
保存温度:-40〜+ 85℃
![](https://www.beamqus.com/wp-content/uploads/808nm-QL80R4SD赤外線レーザーダイオード特別オファー200mW-2.jpg)
![](https://www.beamqus.com/wp-content/uploads/808nm-QL80R4SD赤外線レーザーダイオード特別オファー200mW-3.jpg)
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