低暗電流セラミックパッケージフォトダイオード
S1133-14は、暗電流を低く抑えたセラミックパッケージのフォトダイオードです。セラミックパッケージのため、パッケージ側面・裏面から受光部への迷光入射が無く、精度の高い測定が可能です。可視~赤外域を、低照度から高照度領域までの広い範囲でご使用いただけます。
■特長
可視~近赤外域用
仕様
受光面サイズ 2.8 × 2.4 mm
素子数 1
パッケージ セラミック
冷却 非冷却
逆電圧 max. 10 V
感度波長範囲 320~1000 nm
最大感度波長 typ. 720 nm
受光感度 typ. 0.4 A/W
暗電流 max. 20 pA
上昇時間 typ. 0.5 μs
端子間容量 typ. 200 pF
測定条件 指定のない場合はTyp. Ta=25 ℃, 受光感度: λ=λp, 暗電流: VR=1 V, 端子間容量: VR=0 V, f=10 kHz
分光感度特性
![](http://www.beamq.com/laser/laserdiode/Si%E3%83%95%E3%82%A9%E3%83%88%E3%83%80%E3%82%A4%E3%82%AA%E3%83%BC%E3%83%89%E6%B5%9C%E6%9D%BES1133-14-01.jpg)
外形寸法図 (単位: mm)
![](http://www.beamq.com/laser/laserdiode/Si%E3%83%95%E3%82%A9%E3%83%88%E3%83%80%E3%82%A4%E3%82%AA%E3%83%BC%E3%83%89%E6%B5%9C%E6%9D%BES1133-14-02.jpg)
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